250MHz\500MHz\1GHz,32/64通道逻辑分析仪
产品介绍
32/64通道逻辑分析仪LA2132/LA2164简介
LA2132 K系列逻辑分析仪
LA2132 M系列逻辑分析仪
LA2132 G系列逻辑分析仪
K、M、G 系列仅采样速率和存储深度的不同。
如果用一条同步扁平电缆则用二台LA2132 构成64通道逻辑分析仪，连接如下：
时序测量：
状态测量：
1、 技术指标：(中、英文界面)
· 高速采样速率可达:
LA2132 K系列：250MSa/s
LA2132 M系列：500MSa/s
LA2132 G系列：1GSa/s
· 32 通道，或64通道
· 每通道的存储深度：
LA2132 K系列：256K
LA2132 M系列：1024K
LA2132 G系列：4096K
· 连续可变的前/后触发位置
· 高阻抗探头减小被测电路之间的干扰 (100Kohm).
· LVDS 低电压微分信号测量.
· 可变的门限电压
· 状态显示
· 时序显示
· 混合方式显示
· 多窗口显示,轻松观察波形细节.
·（高端产品带）RS232、I2C分析
· 高数据带宽可达 125 MHz ，在LVDS下可达200MHz
· 外部高速时钟输入
· 可用一个探针同时捕捉时序和状态
· 逻辑分析仪同时配备高质量的测试夹和连线
· 以文本方式输出数据.
· 复杂的触发方式,多级触发,最高达512级触发.
· USB接口取电无需外接电源
· 支持二次开发。DLL库
· Windows/me/2000/xp
K系列产品有三种型号：LA2132/256K K2型有2级触发。
K系列产品有三种型号：LA2132/256K K8型有8级触发。
K系列产品有三种型号：LA2132/256K K512型有512级触发。
M系列产品有三种型号：LA2132/512K M2型有2级触发。
M系列产品有三种型号：LA2132/512K M8型有8级触发。
M系列产品有三种型号：LA2132/512K M512型有512级触发。
G系列产品有三种型号：LA2132/4096K G2型有2级触发。
G系列产品有三种型号：LA2132/4096K G8型有8级触发。
G系列产品有三种型号：LA2132/4096K G512型有512级触发。
K2，K8，K512 M2，M8，M512 G2，G8G512 仅是触发级别的不同。
硬件/软件技术指标如下:
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型号 |
LA-2132 LVDS（K2）(250 MHz, 256K 内存) |
LA-2132 LVDS（G512）
(1GHz, 4 MB内存)
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通道数：
内时钟采样速率：
每通道记录长度： |
32通道：
采样率：1Sa/s到250MSa/s
256K 存储深度 |
在用道32通道时：
采样率为：1Sa/s到250MSa/s
1MB 存储深度 |
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在用到16 通道时：
采样率为1Sa/s 到500MSa/s存储深度：2 Mega |
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在用到8通道时：
采样率为1Sa/s 到1GSa/s
存储深度：4 Mega |
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2个通道为双向LVDS
2个通道为输入LVDS
不能扩展到64通道 |
2个通道为双向LVDS
2个通道为输入LVDS
不能扩展到64通道 |
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外时钟采样率： |
到 125MSa/s， DC 到200MHz 对于LVDS |
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I/O 测量带宽： |
通道CH 0 ~ 31 DC到125MHz, DC 到200MHz 对于LVDS |
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输入阻抗： |
250Kohm // 2pf (末端接地) |
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输入电压： |
最大. –110 V 到 +110 V 对所有 32通道
0 到 5V 仅对所有LVDS通道 (如果输入电压超过这个范围将烧坏设备) |
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门限电压： |
门限电压的范围从-3.7V到+1.9V,每步以35mV跳变.
通常5V的TTL电平需要门限电压设置为1.4V.
ECL电平需要门限电压设置为(-1.3V).
LVC1.5V电平需要门限电压设置为(0.75V).
LVC1.8V电平需要门限电压设置为(0.9V).
LVC2.5V电平需要门限电压设置为(1.2V).
LVC3.3V电平需要门限电压设置为(1.4V).
SSTL2|| 2.5V电平需要门限电压设置为(1.25V).
SSTL3|| 3.5V电平需要门限电压设置为(1.4V). |
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每通道斜率： |
典型值 < 200ps |
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触发位置： |
用户所定义的任何位置 |
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最大. 触发速度 |
250MHz (4ns) |
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触发性质 |
0, 1, x (任意) 设置所有数字通道，2，8，512级触发 |
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支持电源： |
不需要电源支持 |
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净重： |
120 克 |
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尺寸： |
107mm x 77mm x 16mm |
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型号 |
LA-2132 K系列(250 MHz, 256K内存) |
LA-2132 M 系列(500MHz, 1 M内存) |
LA-2132 G系列(1 GHz, 4 M 内存) |
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通道数：
内时钟采样速率：
每通道记录长度： |
32通道：采样率：1Sa/s到250MSa/s,256K 存储深度 |
32通道：采样率：1Sa/s到250MSa/s,512 K 存储深度 |
32通道：采样率：1Sa/s到250MSa/s,1 Mega 存储深度 |
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在用到16 通道时，采样率为1Sa/s 到500MSa/s
存储深度：1 Mega |
在用到16 通道时，采样率为1Sa/s 到500MSa/s
存储深度：2 Mega |
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在用到8通道时，采样率为1Sa/s到1GSa/s
存储深度：4 Mega |
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不支持LVDS模式2个LA-2132能用扁平电缆连接扩展到64通道（同步） |
不支持LVDS模式2个LA-2132能用扁平电缆连接扩展到64通道（同步 |
不支持LVDS模式
2个LA-2132能用扁平电缆连接扩展到64通道（同步 |
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外时钟采样率： |
到 125MSa/s |
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I/O 测量带宽： |
通道CH 0 ~ 31 DC到125MHz |
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输入阻抗： |
250Kohm // 2pf (末端接地) |
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输入电压： |
最大. –110 V 到 +110 V 对所有 32通道
(如果输入电压超过这个范围将烧坏设备) |
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门限电压： |
门限电压的范围从-3.7V到+1.9V,每步以35mV跳变.
通常5V的TTL电平需要门限电压设置为1.4V.
ECL电平需要门限电压设置为(-1.3V).
LVC1.5V电平需要门限电压设置为(0.75V).
LVC1.8V电平需要门限电压设置为(0.9V).
LVC2.5V电平需要门限电压设置为(1.2V).
LVC3.3V电平需要门限电压设置为(1.4V).
SSTL2|| 2.5V电平需要门限电压设置为(1.25V).
SSTL3|| 3.5V电平需要门限电压设置为(1.4V). |
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每通道斜率： |
典型值 < 200ps |
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触发位置： |
用户所定义的任何位置 |
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最大. 触发速度 |
250MHz (4ns) |
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触发性质 |
0, 1, x (任意) 设置所有数字通道 |
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支持电源： |
不需要电源支持 |
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净重： |
120 克 |
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尺寸： |
107mm x 77mm x 16mm |
LVDS简介 :
LVDS即低压差分信号传输 ，是一种满足当今高性能数据传输应用的新型技术。 由于其可使系统供电电压低至 2V，因此它还能满足未来应用的需要。此技术基于 ANSI/TIA/EIA-644 LVDS 接口标准。
LVDS 技术拥有 330mV 的低压差分信号 (250mV MIN and 450mV MAX) 和快速过渡时间。这可以让产品达到自 100 Mbps 至超过 1 Gbps 的高数据速率。 此外，这种低压摆幅可以降低功耗消散，同时具备差分传输的优点。
LVDS 技术用于简单的线路驱动器和接收器物理层器件以及比较复杂的接口通信芯片组。 通道链路芯片组多路复用和解多路复用慢速 TTL 信号线路以提供窄式高速低功耗 LVDS 接口。 这些芯片组可以大幅节省系统的电缆和连接器成本，并且可以减少连接器所占面积所需的物理空间。 LVDS 解决方案为设计人员解决高速 I/O 接口问题提供了新选择。 LVDS 为当今和未来的高带宽数据传输应用提供毫瓦每千兆位的方案。
LVDS的优势
LVDS比单端技术提供更高的抗扰度，与单端信号相比，传输速度更高、信号摆动更小、功耗更低、电磁干扰更小。可以使用廉价的连接器和电缆高速传输数据。LVDS使用标准带状电缆和具有100 mil头部管脚的IDC连接器，在底盘、板和外设之间提供稳固的信号，进行高速数据传输。点到点LVDS信号的速度可以达到622 Mb/s以上。
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系列型号(USB口)基本缓存 |
采样速率 |
通道 |
最大存储 |
实测带宽 |
触发门限电压 |
触发功能 |
全套价格含配件 |
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PG32200K/256K |
200MHz |
32 |
256K(max) |
100MHz |
0 ~ +3V |
复杂 |
5900元 |
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PG32200M/1024K |
200MHz |
32 |
1M(max) |
100MHz |
0 ~ +3V |
复杂 |
6900元 |
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PG32400K/512K |
400MHz |
32 |
512K(max) |
200MHz |
0 ~ +3V |
复杂 |
9800元 |
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PG32400M/2M |
400MHz |
32 |
2M(max) |
200MHz |
0 ~ +3V |
复杂 |
14800元 |
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LA2132K/256K
(有三种型号)
LA2132K2/256K
LA2132K8/256K
LA2132K512/256K |
250MHz |
32 |
256K(max) |
125MHz
LVDS下
200MHz |
-3.7 ~ +1.9V |
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